|
Материалы

Предпосевная обработка семян сои сорта Вилана физическими факторами


Одна из важнейших проблем современного растениеводства – разработка научных основ и эффективных приемов повышения посевных качеств семян [1]

По мнению многих специалистов перспективным является предпосевная обработка семян физическими факторами [2,3]. Нами, в лаборатории УНИЛ, проведена предпосевная обработка семян сои переменным магнитным полем (ПрМП), полем отрицательного коронного разряда (ПОКР) с целью определения оптимального вида обработки, которые позволили бы повысить посевные качества сои. Поисковые эксперименты по выбору оптимальных факторов и режимов воздействия на семена сои дали следующие результаты.

Для определения влияния электрического поля на посевные качества семян семена сои сорта Вилана обрабатывали полем отрицательного коронного разряда (ПОКР). Семена сои сорта Вилана обрабатывались при напряженности 3,6∙105 В/м, экспозиция изменялась от 4 до 60 секунд, при времени отлежки от обработки семян до их закладки на прорастание 9 суток.

Рисунок 1 – Зависимость энергии прорастания семян сои сорта Вилана от экспозиции при обработке ПОКР

 

Из данных, представленных на рис.1 видно, что при экспозициях 4 секунды энергия прорастания экспериментальных, обработанных ПОКР и контрольных семян одинаковы. С увеличением экспозиции до 16 секунд этот показатель возрастает до 45%, что на 15% выше, чем на контроле, при экспозиции 20 секунд энергия снижается до 35%, а при воздействии ПОКР в течении 60 секунд энергия прорастания достигает опять своего максимума 45%, то есть зависимость энергии прорастания от экспозиции носит волнообразный характер. Из данных представленных на рисунке 1 очевидно, что дальнейшее увеличение экспозиции может стимулировать посевные качества семян, но для производственных условий обработка семян при больших экспозициях нерентабельна.

Во время эксперимента наблюдалось интенсивное развитие микофлоры, особенно к моменту определения всхожести семян сои в чашках Петри, в которых проращивались семена сои на фильтровальном ложе, что могло быть вызвано изначальной зараженностью семян сои грибами и бактериями. По нашему мнению исследуемый режим обработки ПОКР стимулировал не только посевные качества семян, но и интенсивность развития патогенной микофлоры, что затруднило получить достоверные результаты по всхожести семян.

Для определения влияния переменного магнитного поля (ПрМП) на посевные качества семян сои сорта Вилана нами был проведен поисковый эксперимент для определения зависимости посевных качеств семян от экспозиции, времени отлежки их после обработки до закладки на прорастание при индукции магнитного поля 52,4×10-3Тл на установке транспортерного типа. Для получения достаточного объема данных и достоверных результатов при их статистической обработке опыты содержали по пять повторностей, включающих по двадцать семян каждая. Семена помещали на проращивание на влажную среду, в стерилизованные чашки «Петри».

На рисунке 2 представлены результаты по энергии прорастания семян сои сорта Вилана после их обработки ПрМП в указанном выше варианте. Эксперимент был проведен в октябре 2005 года. Энергия прорастания контрольного варианта составляла 25%, семена сои находились в состоянии покоя. Анализ результатов представленных на рис.2 показывает, что при отсутствии отлежки семян после обработки до их закладки на проращивание (кривая с индексом – «0») энергия прорастания ниже 25%, соответствующей контролю. Это определяется, по-видимому, «стрессовым состоянием» семян сразу после воздействия указанным физическим фактором.

Последующее введение времени «отлежки» в несколько суток (1-3 суток) увеличивает энергию прорастания семян в среднем до 40%, что на 15% выше, чем на контроле. Это также согласуется с данными по всхожести семян. Лучший результат получен при «отлежке» семян сои в течении одних суток при экспозиции от 12 до 20 секунд. Увеличение всхожести семян сои сорта Вилана до 60% произошло в результате обработки в течении 15 секунд, что на 45% выше, чем на контроле.

 

1 2
Общее время работы: 19.640922546387 мс
Использование памяти: 659 КБ